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GT30J121(Q)

Name: Toshiba GT30J121(Q)
Brand: Toshiba
SKU: 757-GT30J121(Q)
Price: 3.65 EUR
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

757-GT30J121(Q)

Nº do fabricante:

GT30J121(Q)

Fabricante.:

Toshiba

Ficha técnica:

Modelo ECAD:

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoria de produto:	IGBTs
RoHS:
Tecnologia:	Si
Caixa / Gabinete:	TO-3P-3
Estilo de montagem:	Through Hole
Configuração:	Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor:	600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor:	2 V
Tensão do emissor do gate máxima:	- 20 V, 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC:	30 A
Pd - Dissipação de potência:	170 W
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Série:	GT30J121
Embalagem:	Tube
Marca:	Toshiba
Ic máx. de corrente do coletor contínuo:	30 A
Tipo de Produto:	IGBT Transistors
Quantidade do pacote de fábrica:	100
Subcategoria:	IGBTs
Peso unitário:	6,756 g