700V CoolGaN™ G5 Power Transistors

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5 Power Transistors represent a significant advancement in power conversion technology. These gallium nitride (GaN) transistors are designed to operate at high frequencies with superior efficiency, enabling ultra-fast switching and minimizing energy losses. The 700V CoolGaN G5 series features enhancement-mode transistors that are normally off, ensuring safe operation and high reliability. With low gate and output charge, these transistors support high power density designs and reduce system BOM costs.

Resultados: 7
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Ficha técnica
1 792Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V - 10 V 1.6 V 1.9 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Ficha técnica
4 888Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5 000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 13 A 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Ficha técnica
5 130Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5 000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.26 nC - 40 C + 150 C 34 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Ficha técnica
1 924Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.3 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Ficha técnica
1 924Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1 nC - 40 C + 150 C 18 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Ficha técnica
1 096Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 600 mOhms - 10 V 1.6 V 0.53 nC - 40 C + 150 C 11 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Ficha técnica
4 994Esperado 23/02/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5 000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolGaN