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APT10026L2FLLG

Name: Microchip APT10026L2FLLG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-APT10026L2FLLG
Price: 64.45 EUR
Availability: OutOfStock

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Nº da Mouser:

494-APT10026L2FLLG

Nº do fabricante:

APT10026L2FLLG

Fabricante.:

Microchip Technology

Descrição:

MOSFETs FREDFET MOS7 1000 V 26 Ohm TO-264 MAX

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Ficha técnica:

APT10026L2FLLG Ficha técnica (PDF)

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoria de produto:	MOSFETs
RoHS:
Tecnologia:	Si
Estilo de montagem:	Through Hole
Caixa / Gabinete:	TO-264-3
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	1 kV
Id - Corrente de drenagem contínua:	38 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	260 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 30 V, 30 V
Tensão de limite porta e fonte:	3 V
Qg - Carga na porta:	267 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Pd - Dissipação de potência:	893 W
Modo de canal:	Enhancement
Embalagem:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Configuração:	Single
Tempo de queda:	9 ns
Tipo de Produto:	MOSFETs
Tempo de ascensão:	8 ns
Quantidade do pacote de fábrica:	1
Subcategoria:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico:	39 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	17 ns
Peso unitário:	10 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

APT10026L2FLL Power MOS 7® FREDFET

Microsemi / Microchip APT10026L2FLL Power MOS 7^® FREDFET is a low loss and high voltage N-channel enhancement mode power MOSFET. This power MOSFET provides 1000V V_DSS, 38A I_D, and 0.26Ω R_DS(on). The Power MOS 7 lowers the R_DS(ON) and Q_g to control the conduction and switching losses. This MOSFETcombines low conduction and switching losses with fast switching speeds inherent with metal gate structure. The APT10026L2FLL Power MOS 7 FREDFET is available in a TO-264 MAX package and is easy to drive. Other features include low input capacitance, lower miller capacitance, and increased power dissipation.