MJD31C & MJD32C 100V 3A Bipolar Transistors

Nexperia MJD31C and MJD32C 100V 3A Bipolar Junction Transistors (BJT) offer high thermal power dissipation in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. These devices provide high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The Nexperia MJD31C and MJD32C are ideal for various applications, including linear voltage regulators, power management, and constant current drive backlighting.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Configuração
Corrente do coletor DC máxima
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor
Emissor - VEBO de tensão de base
Tensão de saturação do coletor - emissor
Pd - Dissipação de potência
Produto fT da largura de banda de ganho
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Embalagem
Nexperia Transistores bipolares de junção - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
Ficha técnica
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209Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 209
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares de junção - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
Ficha técnica
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1 836Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 836
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares de junção - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
Ficha técnica
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1 388Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 388
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel