Parece que você desabilitou JavaScript no seu navegador. Algumas funções nesta página não funcionarão, a menos que você acesse.

Voltar para os Resultados da Pesquisa

Identificou algum erro?

NTMFS3D2N10MDT1G

Name: onsemi NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D2N10MDT1G
Price: 3.62 EUR
Availability: OutOfStock

As imagens são apenas para referência
Veja as especificações do produto

Nº da Mouser:

863-NTMFS3D2N10MDT1G

Nº do fabricante:

NTMFS3D2N10MDT1G

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

Ficha técnica:

NTMFS3D2N10MDT1G Ficha técnica

Modelo ECAD:

Baixe o aplicativo gratuito Library Loader para converter este artigo para sua ferramenta ECAD. Saiba mais sobre o Modelo ECAD.

Mais informações

Saiba mais sobre onsemi NTMFS3D2N10MDT1G

Disponibilidade

Estoque:: 0

Você ainda pode comprar este produto para pedidos pendentes.

Ocorreu um erro inesperado. Tente novamente mais tarde.
No pedido:: 2 741

Esperado 13/03/2026
Tempo de entrega da fábrica:: 33

semanas Tempo estimado de produção de fábrica para quantidades acima do indicado.

Longo prazo de entrega informado para este produto.

Digite a quantidade:

Mínimo: 1 Vários: 1

Preço unitário:

-,-- €

Ext. Preço:

-,-- €

Est. Tarifa:

Embalagem:

Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 1500)

Corte de fita

MouseReel™ (+5,00 €)

Preços (EUR)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
Fita cortada / MouseReel™ ^†
	3,62 €	3,62 €
	2,41 €	24,10 €
	2,02 €	202,00 €
	1,59 €	795,00 €
	1,33 €	1 330,00 €
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 1500)
	1,33 €	1 995,00 €

† 5,00 € taxa MouseReel™ será adicionada e calculada em seu carrinho de compras. Todos os pedidos MouseReel™ não podem ser cancelados nem devolvidos. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	100 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	142 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	3.5 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 20 V, 20 V
Tensão de limite porta e fonte:	4 V
Qg - Carga na porta:	48 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Pd - Dissipação de potência:	155 W
Modo de canal:	Enhancement
Nome comercial:	PowerTrench
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Embalagem:	MouseReel
Marca:	onsemi
Tipo de Produto:	MOSFETs
Série:	NTMFS3D2N10MD
Quantidade do pacote de fábrica:	1500
Subcategoria:	Transistors

Produtos encontrados:

Para mostrar produtos similares, selecione pelo menos uma opção

Selecione pelo menos uma caixa de seleção acima para mostrar produtos similares nesta categoria.

Atributos selecionados: 0

Filtrar documento:

Ficha técnica

NTMFS3D2N10MDT1G Ficha técnica

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFS3D2N10MD N-Channel MOSFET

onsemi NTMFS3D2N10MD N-Channel MOSFET is designed using an advanced PowerTrench^® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize the on-state resistance R_DS(on) to minimize conduction losses and yet maintain superior switching performance. The NTMFS3D2N10MD MOSFET features low Q_G and capacitance to minimize driver losses, low Q_RR, soft recovery body diode, and low Q_OSS to improve light-load efficiency. Typical applications include primary switches in isolated DC-DC converters, AC-DC adapters, synchronous rectification in DC-DC and AC-DC, BLDC motors, load switches, and solar inverters.

Tecnologia PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.