TRSx SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba TRSx SiC Schottky Barrier Diodes are a 3rd generation chip design with a repetitive peak reverse voltage (VRRM) rating of 1200V. The forward DC current rating (IF(DC)) for the TRS30N120HB is 15A per leg or 30A for both legs, and the TRS40N120HB is 20A per leg or 40A for both legs. These devices are available in a standard TO-247 package. Toshiba TRSx Sic Schottky Barrier Diodes are ideal in power factor correction, solar inverters, uninterruptible power supplies, and DC-DC converter applications.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Configuração
If - Corrente direta
Vrrm - Tensão inversa repetitiva
Vf - Tensão no sentido direto
Ifsm - Corrente de surto no sentido direto
Ir - Corrente inversa
Temperatura operacional máxima
Toshiba Diodos Schottky de SiC 1200 V/30 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
Ficha técnica
30Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 82 A 1.2 kV 1.27 V 1.88 kA 1.4 uA + 175 C
Toshiba Diodos Schottky de SiC 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
Ficha técnica
24Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 102 A 1.2 kV 1.27 V 2.16 kA 1.8 uA + 175 C