TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ Gallium Nitride (GaN) FETs are available in TOLT, TO247, and TOLL packages. These GaN FETs use the Gen IV Plus SuperGaN® platform, which combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior performance, standard drive, ease of adoption, and reliability.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Ficha técnica
351Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Ficha técnica
1 428Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Ficha técnica
698Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN