IS37SM Flash Memory Devices

ISSI IS37SM Flash Memory Devices are 1Gb/2Gb devices that are based on the standard parallel NAND Flash. These SLC SPI-NAND memory devices provide an advanced write protection mechanism for data security, such as software write protection with a block lock register. The IS37SM Flash memory devices feature Single-Level Cell (SLC) technology, user-selectable internal 8-bit ECC, and first page auto-load on power up. These devices include ten pages of One-Time Programmable (OTP) Flash memory area and offer 10 years of data retention. The IS37SM Flash memory devices are ideal for systems that require a minimum pin count.

Resultados: 20
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Série
Tamanho da memória
Tipo de interface
Organização
Tipo de sincronização
Largura do barramento de dados
Tensão de alimentação - Mín
Tensão de alimentação - Máx
Tensão de alimentação - Máx
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Embalagem
ISSI Flash NAND 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 192Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 149Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI Flash NAND 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, Tray
Ficha técnica
108Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9

SMD/SMT SOIC-16 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI Flash NAND 1G 3.3V 104MHz Serial Flash NAND
Ficha técnica
3 620Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 934

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C
ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT
Ficha técnica
480No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C

ISSI Flash NAND 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI Flash NAND 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
Ficha técnica
480No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI Flash NAND 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
Ficha técnica
480No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 2 500
Mult.: 2 500
Bobina: 2 500

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 4 000
Mult.: 4 000
Bobina: 4 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI Flash NAND 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 2 500
Mult.: 2 500
Bobina: 2 500

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI Flash NAND 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 4 000
Mult.: 4 000
Bobina: 4 000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 2 500
Mult.: 2 500
Bobina: 2 500

SMD/SMT 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 4 000
Mult.: 4 000
Bobina: 4 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI Flash NAND 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 2 500
Mult.: 2 500
Bobina: 2 500

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI Flash NAND 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 4 000
Mult.: 4 000
Bobina: 4 000

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI Flash NAND 1 Gb, 1bit ECC, WSON-8 (8x6mm), 3.3V, RoHS, IT, T&R
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 4 000
Mult.: 4 000
Bobina: 4 000

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI Flash NAND 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, T&R
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 1 000
Mult.: 1 000
Bobina: 1 000

SMD/SMT SOIC-16 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C

ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C