CoolMOS® Power Transistors

Infineon Technologies has expanded its offering of CoolMOS® Power Transistors that use a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle. These CoolMOS® Power Transistors provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET, while offering an extremely fast and robust body diode. Infineon Technologies CoolMOS® Power Transistors are especially suited for resonant switching PWM stages for PC Silverbox, LCD TV, lighting, server and telecom applications. Infineon Technologies CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

Resultados: 6
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal Nome comercial Embalagem
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_LEGACY Tempo de conclusão sem o estoque 8 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 257 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 118 nC - 55 C + 150 C 277.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_LEGACY Tempo de conclusão sem o estoque 17 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 1 Channel 650 V 22.4 A 351 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 34.7 W Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY Tempo de conclusão sem o estoque 19 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 000

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 730 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 104.2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_LEGACY Tempo de conclusão sem o estoque 16 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_LEGACY Tempo de conclusão sem o estoque 18 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 43.3 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 167 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.7 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31.5 nC - 55 C + 150 C 83.3 W Enhancement CoolMOS Tube