FGH60N60SMD

onsemi
512-FGH60N60SMD
FGH60N60SMD

Fabricante.:

Descrição:
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2

Ficha técnica:
Modelo ECAD:
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Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
onsemi
Categoria de produto: IGBTs
REACH - SVHC:
Si
TO-247
Through Hole
Single
600 V
1.9 V
- 20 V, 20 V
120 A
600 W
- 55 C
+ 175 C
FGH60N60SMD
Tube
Marca: onsemi
Corrente de dispersão do gate - emissor: 400 nA
Tipo de Produto: IGBT Transistors
Quantidade do pacote de fábrica: 30
Subcategoria: IGBTs
Peso unitário: 6,390 g
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Atributos selecionados: 0

Códigos de conformidade
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificações de Origem
País de origem:
China
País de Origem da Montagem:
China
País de difusão:
Coréia, República da
O país está sujeito a alterações no momento do envio.

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.

FGH60N60SMD & FGH40N60SMD Field Stop IGBTs

onsemi FGH60N60SMD and FGH40N60SMD 600V Field Stop IGBTs offer the most ideal performance for Solar Inverters, UPS, SMPS, IH, and PFC applications in which low conduction and switching losses are essential. onsemi FGH60N60SMD and FGH40N60SMD 600V Field Stop IGBTs have 60A and 40A collector current ratings, respectively. Both IGBT Series offer a maximum junction temperature of 175ºC, a positive temperature co-efficient for an easy parallel operating, high current capability, low saturation voltage, high input impedance, fast switching ability, and tight parameter distribution.

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