TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.

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Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal Embalagem
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 0.24A, Single N-Channel Power MOSFET 798Em estoque
9 000Esperado 15/06/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 680 pC - 55 C + 150 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET 6 322Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.65 nC - 55 C + 150 C 357 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET 3 929Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 91 nC - 55 C + 150 C 240 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel