IS46LD CMOS LPDDR2 DRAMs

ISSI IS46LD CMOS LPDDR2 DRAMs are 2Gbit/4Gbit organized as 8 banks of 16Meg/32Meg words of 16bits or 8Meg/16Meg words of 32bits. These DRAMs use a 4bit Double Data Rate (DDR) architecture to achieve high-speed operation. The IS46LD CMOS DRAMs feature Deep Power-Down (DPD) mode, a 10MHz to 533MHz clock frequency range, and Partial Array Self Refresh (PASR). These DRAMs include an on-chip temperature sensor to control the self-refresh rate and High Speed Un-terminated Logic (HSUL_12) I/O interface.

Resultados: 8
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamanho da memória
Largura do barramento de dados
Frequência de operação máxima
Caixa / Gabinete
Organização
Tempo de acesso
Tensão de alimentação - Mín
Tensão de alimentação - Máx
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Embalagem
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
Ficha técnica
149Em estoque
171Esperado 11/05/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 84

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Ficha técnica
1 796Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2
Bobina: 2 000

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 16 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Ficha técnica
1 646Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 86
Bobina: 2 000

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
Ficha técnica
171Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 16 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT
Ficha técnica
168Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 171
Mult.: 171

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 1 500
Mult.: 1 500
Bobina: 1 500

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 2 000
Mult.: 2 000
Bobina: 2 000

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel