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RD3U041AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3U041AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3U041AAFRATL
Price: 1.92 EUR
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

755-RD3U041AAFRATL

Nº do fabricante:

RD3U041AAFRATL

Fabricante.:

ROHM Semiconductor

Descrição:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 250V(Vdss), 4.1A(Id), (10V Drive)

Ficha técnica:

RD3U041AAFRATL Ficha técnica

Modelo ECAD:

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Preços (EUR)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	1,92 €	1,92 €
	1,23 €	12,30 €
	0,833 €	83,30 €
	0,666 €	333,00 €
	0,63 €	630,00 €
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 2500)
	0,552 €	1 380,00 €
	0,545 €	2 725,00 €

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	MOSFETs
RoHS:
Tecnologia:	Si
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	TO-252-3
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	250 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	4 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	1.3 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 30 V, 30 V
Tensão de limite porta e fonte:	5.5 V
Qg - Carga na porta:	8.5 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Pd - Dissipação de potência:	29 W
Modo de canal:	Enhancement
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuração:	Single
Tempo de queda:	15 ns
Tipo de Produto:	MOSFETs
Tempo de ascensão:	14 ns
Série:	RD3
Quantidade do pacote de fábrica:	2500
Subcategoria:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico:	18 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	15 ns
Aliases de núm de peça:	RD3U041AAFRA
Peso unitário:	330 mg

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Atributos selecionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Ficha técnica

RD3U041AAFRATL Ficha técnica

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET

ROHM Semiconductor RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET features low on-resistance and fast switching. With simple drive circuits and a 250V drain-source voltage, the RD3U041AAFRA is suitable for switching applications. The ROHM RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET is an automotive-grade MOSFET, which is AEC-Q101 qualified.