Low Power HYPERRAM®

Winbond Low Power HYPERRAMs® are mobile DRAM with a high-speed SDRAM device internally configured as an 8-bank memory and uses a Double Data Rate (DDR) architecture on the Command/Address (CA) bus. This HYPERRAM features low pin count, low power consumption, and easy control to improve the performance of end devices. These IoT edge devices and human-machine interface devices require functionality in size, power consumption, and performance. These HYPERRAM memory devices provide technical solutions and address the rapid rise of IoT edge devices and human-machine interface devices. These HYPERRAMs offer 45mW power at 1.8V in hybrid sleep mode, significantly different from the standby mode of SDRAM. The HYPERRAM supports the HyperBus interface and is a solution to address the rapid rise of automotive electronics, industrial 4.0, and smart home applications.

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Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tipo Tamanho da memória Largura do barramento de dados Frequência de operação máxima Organização Tensão de alimentação - Mín Tensão de alimentação - Máx Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Embalagem

Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V 449Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz 32 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray

Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R 180Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
: 2 000

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz 32 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape