SCT4013DW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4013DW7TL
SCT4013DW7TL

Fabricante.:

Descrição:
MOSFETs de SiC TO263 750V 98A N-CH SIC

Ficha técnica:
Modelo ECAD:
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Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoria de produto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
750 V
98 A
16.9 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
267 W
Enhancement
Marca: ROHM Semiconductor
Conformidade: Done
Configuração: Single
Tempo de queda: 17 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 32 S
Embalagem: Reel
Embalagem: Cut Tape
Embalagem: MouseReel
Produto: MOSFET's
Tipo de Produto: SiC MOSFETS
Tempo de ascensão: 32 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 1000
Subcategoria: Transistors
Tecnologia: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 82 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 17 ns
Aliases de núm de peça: SCT4013DW7
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Ficha técnica

Specification Sheets

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4013DW7 N-Ch SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4013DW7 N-Ch SiC Power MOSFET is a 750V, 13mΩ low on-resistance MOSFET designed for fast switching. The SCT4013DW7 offers a fast reverse recovery, is easy to parallel, and is simple to drive. The ROHM SCT4013DW7 is ideal for solar inverters, induction heating, and motor drives.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

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