SSM6K51xNU Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6K51xNU Silicon N-Channel MOSFETs are part of Toshiba's extensive portfolio of MOSFETs in various circuit configurations and packages. The devices feature high speed, high performance, low loss, low on-resistance, small packaging, and more. The Toshiba SSM6K51xNU MOSFETs are ideal for power management switches and feature high-speed switching. These devices have a 1.5V drive with low drain-source on-resistance.

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Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal Embalagem

Toshiba MOSFETs UDFN6B N-CH 30V 6A 5 276Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 46 mOhms - 12 V, 20 V 2.5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs UDFN6B N-CH 30V 6A 3 702Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V 4 165Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel