MJD Automotive Medium Power Transistors

Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.

Resultados: 4
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Configuração
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor
Coletor VCBO de voltagem básica
Emissor - VEBO de tensão de base
Tensão de saturação do coletor - emissor
Pd - Dissipação de potência
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Qualificação
Embalagem
Diodes Incorporated Transistores bipolares de junção - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Ficha técnica
5 679Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares de junção - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Ficha técnica
1 083Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares de junção - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Ficha técnica
1 040Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares de junção - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Ficha técnica
2 395Esperado 29/04/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape