NTTFS012N10MDTAG

onsemi
863-NTTFS012N10MDTAG
NTTFS012N10MDTAG

Fabricante.:

Descrição:
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

Modelo ECAD:
Baixe o aplicativo gratuito Library Loader para converter este artigo para sua ferramenta ECAD. Saiba mais sobre o Modelo ECAD.

Em estoque: 9 702

Estoque:
9 702 Pode ser enviado imediatamente
Tempo de entrega da fábrica:
21 semanas Tempo estimado de produção de fábrica para quantidades acima do indicado.
Mínimo: 1   Vários: 1
Preço unitário:
-,-- €
Ext. Preço:
-,-- €
Est. Tarifa:

Preços (EUR)

Qtde Preço unitário
Ext. Preço
1,86 € 1,86 €
1,23 € 12,30 €
0,832 € 83,20 €
0,663 € 331,50 €
0,63 € 630,00 €
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 1500)
0,571 € 856,50 €
0,542 € 1 626,00 €

Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
onsemi
Categoria de produto: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
WDFN-8
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Tipo de Produto: MOSFETs
Série: NTTFS012N10MD
Quantidade do pacote de fábrica: 1500
Subcategoria: Transistors
Produtos encontrados:
Para mostrar produtos similares, selecione pelo menos uma opção
Selecione pelo menos uma caixa de seleção acima para mostrar produtos similares nesta categoria.
Atributos selecionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Tecnologia PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET

onsemi NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET is designed using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize the on-state resistance RDS(on) to minimize conduction losses and yet maintain superior switching performance. The NTTFS012N10MD MOSFET features low QG and capacitance to minimize driver losses, low QRR, soft recovery body diode, and low QOSS to improve light-load efficiency. Typical applications include primary switches in isolated DC-DC converters, AC-DC adapters, synchronous rectification in DC-DC and AC-DC, BLDC motors, load switches, and solar inverters.