BLF647P LDMOS Broadband Power Transistors

Ampleon BLF647P LDMOS Broadband Power Transistors are 200W LDMOS RF power transistors for broadcast transmitters and industrial applications. Suitable for the frequency range HF to 1500MHz, the excellent ruggedness and broadband performance of the BLF647P transistors make them ideal for digital applications. These transistors offer integrated ESD protection, excellent ruggedness, and high power gain/efficiency.

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Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Polaridade do transistor Tecnologia Id - Corrente de drenagem contínua Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Rds On - Fonte de drenagem na resistência Frequência operacional Ganho Potência de saída Temperatura operacional máxima Estilo de montagem Caixa / Gabinete Embalagem
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF647PS/SOT1121/TRAY 46Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF647P/SOT1121/TRAY
236Esperado 19/06/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 18 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT-1121A-5 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET Broadband pwr LDMOS transistor Tempo de conclusão sem o estoque 16 semanas
Mín.: 100
Mult.: 100
Bobina: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Reel