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RM2312-T

Name: Rectron RM2312-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM2312-T
Price: 0.49 EUR
Availability: InStock

As imagens são apenas para referência
Veja as especificações do produto

Nº da Mouser:

583-RM2312-T

Nº do fabricante:

RM2312-T

Fabricante.:

Rectron

Descrição:

MOSFETs

Ficha técnica:

RM2312-T Ficha técnica (PDF)

Modelo ECAD:

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Preço unitário:

-,-- €

Ext. Preço:

-,-- €

Est. Tarifa:

Embalagem:

Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 3000)

Corte de fita

MouseReel™ (+5,00 €)

Preços (EUR)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
Fita cortada / MouseReel™ ^†
	0,497 €	0,50 €
	0,367 €	3,67 €
	0,208 €	20,80 €
	0,14 €	70,00 €
	0,107 €	107,00 €
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 3000)
	0,094 €	282,00 €
	0,081 €	486,00 €
	0,075 €	675,00 €
	0,067 €	1 608,00 €

† 5,00 € taxa MouseReel™ será adicionada e calculada em seu carrinho de compras. Todos os pedidos MouseReel™ não podem ser cancelados nem devolvidos. ↩

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	Rectron
Categoria de produto:	MOSFETs
RoHS:
Tecnologia:	Si
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	SOT23-3
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	20 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	4.5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	33 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 12 V, 12 V
Tensão de limite porta e fonte:	500 mV
Qg - Carga na porta:	10 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Pd - Dissipação de potência:	1.25 W
Modo de canal:	Enhancement
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Embalagem:	MouseReel
Marca:	Rectron
Configuração:	Single
Tempo de queda:	28 ns
Transcondutância em avanço - Mín:	10 S
Tipo de Produto:	MOSFETs
Tempo de ascensão:	18 ns
Quantidade do pacote de fábrica:	3000
Subcategoria:	Transistors
Tempo de retardo de desligamento típico:	60 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	20 ns

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Ficha técnica

RM2312-T Ficha técnica (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses advanced trench technology to provide excellent R_DS(ON). The MOSFET features a low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. The device is suitable for use as battery protection or in other switching applications.