FGHL50T65MQDTx Field Stop Trench IGBTs

onsemi FGHL50T65MQDTx Field Stop Trench IGBTs are 4th generation mid-speed IGBTs technology co-packed with a fully rated current diode. These IGBTs operate at 175°C maximum junction temperature. Features include high current capability, smooth and optimized switching, and tight parameter distribution. Typical applications include solar inverters, UPS, ESS, converters, and FPS.

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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Caixa / Gabinete
Estilo de montagem
Configuração
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor
Tensão de saturação do coletor - emissor
Tensão do emissor do gate máxima
Corrente contínua do coletor a 25ºC
Pd - Dissipação de potência
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Série
Embalagem

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Ficha técnica
1 874Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGHL50T65MQDT Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Ficha técnica
321Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGHL50T65MQDTL4 Tube