MOSFETs de Canal N SiC de 1.200 V SICW0x

Os MOSFETs de Canal N de SiC de 1.200 V SICW0x da Micro Commercial Components (MCC) ampliam o desempenho em pacotes versáteis TO-247-4, TO-247-4L e TO-247AB. Estes MOSFETs garantem alta velocidade de comutação com baixa carga de porta, flexibilidade de design e elevada confiabilidade. Os MOSFETs de SiC de 1200 V SICW0x oferecem um amplo intervalo de resistência de ativação (de 21 mΩ a 120 mΩ ) e um desempenho confiável. Estes MOSFETs de SiC possuem propriedades térmicas superiores e um diodo intrínseco rápido, garantindo uma operação eficiente em condições adversas. Os MOSFETs  de SiC SICW0x estão disponíveis em configurações de 3 pinos e 4 pinos (fonte Kelvin). Habitualmente utilizados em acionadores de motores, equipamentos de soldagem, fontes de alimentação, sistemas de energia renovável, infraestruturas de carregamento, sistemas em nuvem, e fontes de alimentação ininterrupta (Uninterruptible Power Supply, UPS).

Resultados: 10
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Ficha técnica
357Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Ficha técnica
359Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Ficha técnica
340Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Ficha técnica
360Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 28 semanas
Mín.: 1 800
Mult.: 1 800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4L
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 28 semanas
Mín.: 1 800
Mult.: 1 800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 52 semanas
Mín.: 1 800
Mult.: 1 800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 52 semanas
Mín.: 1 800
Mult.: 1 800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 52 semanas
Mín.: 1 800
Mult.: 1 800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 52 semanas
Mín.: 1 800
Mult.: 1 800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement