Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified silicon N-channel MOSFETs. Toshiba Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs offer low drain-source on-resistance and are ideal for use in high-speed switching applications as well as automotive DC-DC converters and power management switches.

Resultados: 8
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal Qualificação Embalagem

Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20 2 723Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT UF6-6 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 456 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W 5 400Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2 2 212Em estoque
3 000Esperado 16/02/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 57 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss 8 951Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT USM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected 2 554Em estoque
3 000Esperado 20/02/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT US6-6 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min 19 258Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT S-Mini-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V + 150 C 900 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
5 998Esperado 15/06/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms, 45 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 6.7 nC + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416 Tempo de conclusão sem o estoque 11 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.65 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel