600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFET

Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFETs are a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super-junction (SJ) principle and pioneered by Infineon. The CoolMOS™ PFD7 is an optimized platform tailored to target cost-sensitive applications in consumer markets, such as chargers, adapters, motor drives, lighting, etc. The series provides all the benefits of a fast-switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state-of-the-art ease-of-use level. The technology meets the highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers to go towards slim designs.

Resultados: 19
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial
Embalagem
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
12 010Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Ficha técnica
4 780Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5 000

Si SMD/SMT Thin-PAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Ficha técnica
3Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5 000
Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
4 057Em estoque
1 500Esperado 23/07/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
3 214Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 386 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
3 786Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
710Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 386 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
1 896Em estoque
2 500Esperado 07/05/2026
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.7 A 1.978 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Ficha técnica
37Em estoque
10 000Esperado 30/04/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5 000

Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
1 399Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
288Em estoque
1 500Esperado 06/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 235 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
2 055Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
141Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 549 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15.3 nC - 40 C + 150 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
2 505Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 715 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 40 C + 150 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
1 358Em estoque
2 500No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.7 A 1.978 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
1 498Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
3 104Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Ficha técnica
346Em estoque
3 000Esperado 06/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 8.5 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 16 semanas
Mín.: 5 000
Mult.: 5 000
Bobina: 5 000

Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 3.8 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel