Dispositivos Individuais GEN3 com MOSFET SiC de 1200 V

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

Resultados: 4
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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
SemiQ MOSFETs de SiC Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Ficha técnica
115Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 280 A 25 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
SemiQ MOSFETs de SiC Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Ficha técnica
144Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 140 A 52 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 108 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement
SemiQ MOSFETs de SiC Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Ficha técnica
90Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 100 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
SemiQ MOSFETs de SiC Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 18 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 350 A 23 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 260 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement