1200V Common Emitter IGBT Modules

Infineon Technologies 1200V Common Emitter IGBT Modules are part of the TRENCHSTOP™ IGBT7 portfolio that combines a 600A or 800A common emitter with low saturation and a fast trench IGBT module with an emitter-controlled diode. The 1200V Common Emitter IGBT Modules provide higher current capability in existing packages, allowing an increase in inverter output power with the same frame size. The Infineon 1200V Common Emitter IGBT Modules supply high power density, reliability, and flexibility, prepared for three-level configuration.

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Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Produto Configuração Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor Tensão de saturação do coletor - emissor Corrente de dispersão do gate - emissor Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Embalagem
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module 26Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 800 A common emitter IGBT module 13Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray