High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Tipo de Produto
Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
IXYS IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
Ficha técnica
448Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
Ficha técnica
2 787Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Ficha técnica
281Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
Ficha técnica
224Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
Ficha técnica
307Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN
Ficha técnica
334Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
Ficha técnica
277Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)


IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Ficha técnica
127Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
Ficha técnica
8Em estoque
720Esperado 11/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
Ficha técnica
1 275Esperado 22/07/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
Ficha técnica
300Esperado 01/04/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 27 semanas
Mín.: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBTs ISOPLUS 3KV 22A IGBT
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 34 semanas
Mín.: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 57 semanas
Mín.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBTs High Voltage High Gain BIMOSFET
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 57 semanas
Mín.: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 3KV 10A IGBT
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 57 semanas
Mín.: 300
Mult.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs BIMOSFET 2500V 75A
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 80 semanas
Mín.: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs 3600V/92A Rev Conducting IGBT
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 39 semanas
Mín.: 25
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBTs MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 57 semanas
Mín.: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3