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Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal Nome comercial Embalagem
Infineon Technologies MOSFETs 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET 11 660Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 4 000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg 2 351Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 160 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC 8 186Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 4 000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 30 V 3.6 A 63 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable 3 324Em estoque
3 000Esperado 04/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.3 A 17.5 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
5 967No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 1.8 V 99 nC - 55 C + 175 C 390 W Enhancement Tube