MOSFETs DTMOSVI de Alta Tensão em Pacote TOLL

Os MOSFETs DTMOSVI de Alta Tensão em Pacote TOLL da Toshiba apresentam uma baixa resistência na fonte de dreno (Rdson) e propriedades de comutação de alta velocidade com menor capacitância. Isso os torna ideais para aplicações de fonte de alimentação chaveada. Esse DTMOSVI de última geração oferece a menor figura de mérito RDS(ON)xQgd e é acondicionado no novo pacote TOLL (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) com uma conexão de fonte Kelvin para reduzir as perdas na ativação e no desligamento.

Resultados: 6
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal Embalagem
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 1 058Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 2 000Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 3 792Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ 1 232Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
6 000No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 65 nC 270 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 2 000
Mult.: 2 000
Bobina: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel