Q-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS Q-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are designed for hard switching and resonant mode applications. They offer low gate charge, excellent ruggedness, and a fast intrinsic diode. The IXYS Q-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are available in many standard industrial packages, including isolated types.

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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial
Embalagem

IXYS MOSFETs 300V 52A
Ficha técnica
91Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 3.5 Amps 1000V 3 Rds
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 37 semanas
Mín.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3 Ohms - 20 V, 20 V - 40 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube