AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.

Resultados: 10
Selecionar Imagem Número de peça
 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Configuração
If - Corrente direta
Vrrm - Tensão inversa repetitiva
Vf - Tensão no sentido direto
Ifsm - Corrente de surto no sentido direto
Ir - Corrente inversa
Temperatura operacional máxima
Série
Qualificação
Embalagem
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 8A 13nC SiC SBD AEC-Q101 Qualified
Ficha técnica
Comentários de produto
613Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 8 A 650 V 1.55 V 30 A 160 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
Ficha técnica
1 924Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 20 A 650 V 1.55 V 76 A 200 uA + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
Ficha técnica
506Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 40 A 650 V 1.55 V 130 A 400 uA + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
Ficha técnica
798Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 10 A 1.2 kV 1.6 V 45 A 100 uA + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 15A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
Ficha técnica
Comentários de produto
888Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 000
SMD/SMT TO-263AB-3 Single 15 A 650 V 1.55 V 52 A 300 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 6A 9nC SiC SBD AEC-Q101 Qualified
Ficha técnica
Comentários de produto
1 048Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 6 A 650 V 1.55 V 23 A 120 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
Ficha técnica
Comentários de produto
874Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 10 A 650 V 1.55 V 38 A 200 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 12A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
Ficha técnica
Comentários de produto
270Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 12 A 650 V 1.55 V 43 A 240 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
Ficha técnica
Comentários de produto
232Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 20 A 650 V 1.55 V 68 A 400 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
Ficha técnica
442Esperado 06/04/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 20 A 1.2 kV 1.6 V 84 A 200 uA + 175 C AEC-Q101 Tube