IRF100B201

Infineon Technologies
942-IRF100B201
IRF100B201

Fabricante.:

Descrição:
MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Ficha técnica:
Modelo ECAD:
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Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
Infineon
Categoria de produto: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
192 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Single
Tempo de queda: 100 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 278 S
Tipo de Produto: MOSFETs
Tempo de ascensão: 97 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 1000
Subcategoria: Transistors
Tempo de retardo de desligamento típico: 110 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 17 ns
Peso unitário: 2 g
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Atributos selecionados: 0

Ficha técnica

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Product Catalogs

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Códigos de conformidade
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classificações de Origem
País de origem:
Malásia
País de Origem da Montagem:
China
País de difusão:
Malásia
O país está sujeito a alterações no momento do envio.

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Infineon IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs are 100V, single N-channel MOSFETs with enhanced body diode dV/dt and dl/dt capability. These MOSFETs provide improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness, fully characterized capacitance, and avalanche Safe Operating Area (SOA). The IRF100x201 MOSFETs come in TO-220 and D2-Pak packages and are RoHS compliant, lead-free, and halogen-free. Applications include brushed and BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, power supplies, and power switches.

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Estoque:
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