650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.

Resultados: 7
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Embalagem
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI
Ficha técnica
7 281Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
Ficha técnica
4 720Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
Ficha técnica
432Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI
Ficha técnica
76Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI
Ficha técnica
96Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
Ficha técnica
Tempo de conclusão 20 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 2 500
Mult.: 2 500
Bobina: 2 500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel