MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.

Resultados: 2
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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Configuração
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor
Coletor VCBO de voltagem básica
Emissor - VEBO de tensão de base
Tensão de saturação do coletor - emissor
Pd - Dissipação de potência
Produto fT da largura de banda de ganho
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Qualificação
Embalagem
Panjit Transistores bipolares de junção - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified
Ficha técnica
26 735Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistores bipolares de junção - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Ficha técnica
29 441Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel