eMode GaN FETs

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

Resultados: 12
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nexperia FETs GaN GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Ficha técnica
1 976Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia FETs GaN GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Ficha técnica
1 945Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia FETs GaN GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Ficha técnica
1 904Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia FETs GaN GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Ficha técnica
1 976Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia FETs GaN GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Ficha técnica
2 000Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia FETs GaN SOT8074 650V 17A FET
Ficha técnica
2 060Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FETs GaN SOT8075 650V 17A FET
Ficha técnica
1 728Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FETs GaN SOT8072 100V 60A FET
Ficha técnica
1 705Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia FETs GaN SOT8073 150V 28A FET
Ficha técnica
4 698Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia FETs GaN SOT8074 650V 29A FET
Ficha técnica
286Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia FETs GaN SOT8074 650V 11.5A FET
Ficha técnica
720Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia FETs GaN SOT8075 650V 11.5A FET
Ficha técnica
2 483Esperado 09/03/2026
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement