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GS66502B-TR

Name: Infineon GS66502B-TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 499-GS66502B-TR
Price: 10.86 EUR
Availability: OutOfStock

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Nº da Mouser:

499-GS66502B-TR

Nº do fabricante:

GS66502B-TR

Fabricante.:

Infineon Technologies

Descrição:

FETs GaN 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor

Ficha técnica:

GS66502B-TR Ficha técnica (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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Embalagem:

Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 3000)

Corte de fita

MouseReel™ (+5,00 €)

Preços (EUR)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
Fita cortada / MouseReel™ ^†
	10,86 €	10,86 €
	8,84 €	88,40 €
	7,37 €	737,00 €
	6,57 €	3 285,00 €
	6,30 €	6 300,00 €
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 3000)
	5,35 €	16 050,00 €

† 5,00 € taxa MouseReel™ será adicionada e calculada em seu carrinho de compras. Todos os pedidos MouseReel™ não podem ser cancelados nem devolvidos. ↩

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoria de produto:	FETs GaN
RoHS:
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Polaridade do transistor:	HEMT
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	650 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	7.5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	260 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 10 V, 7 V
Tensão de limite porta e fonte:	2.6 V
Qg - Carga na porta:	1.6 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Modo de canal:	Enhancement
Nome comercial:	GaNPX
Marca:	Infineon Technologies
Configuração:	Single
Kit de desenvolvimento:	GS665MB-EVB
Frequência operacional máxima:	10 MHz
Frequência operacional mínima:	0 Hz
Sensível à umidade:	Yes
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Embalagem:	MouseReel
Tipo de Produto:	GaN FETs
Série:	GS665xx
Quantidade do pacote de fábrica:	3000
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo de transistor:	E-Mode

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Ficha técnica

GS66502B-TR Ficha técnica (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

GS665xx Enhancement-Mode Silicon Power Transistors

Infineon Technologies GS665xx Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistors (E-HEMT) feature high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. These power transistors include Island Technology cell layout with high-current die and high yield, and GaNPX^® small packaging enables low inductance and low thermal resistance. These power transistors offer very low junction-to-case thermal resistance for high-power applications. The GS665xx enhancement-mode silicon power transistors are available as bottom-sided or top-sided cooled transistors. These power transistors provide ultra-low FOM die, reverse current capability, and zero reverse recovery loss.