BSS84X HZG Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor BSS84X HZG Small Signal MOSFET is offered in a leadless ultra-small package with an exposed drain pad for excellent thermal conduction. The BSS84X HZG Small Signal MOSFET features a -60V drain-source voltage, ±230mA continuous drain current, and 1.0W power dissipation. The BSS84X HZG is designed for switching circuits, high-side load switch, and relay driver applications.

Resultados: 3
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal Qualificação Embalagem
ROHM Semiconductor MOSFETs SOT323 P-CH 60V .21A 6 303Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 210 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
15 941Esperado 02/07/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 8 000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs AECQ
11 957No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape