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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Embalagem

Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET
Ficha técnica
6 738Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 210 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET
Ficha técnica
757Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET
Ficha técnica
1 114Em estoque
2 500Esperado 04/06/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 105 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube