M3S 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi M3S 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are optimized for fast switching applications. The planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. The onsemi M3S 1200V MOSFETs provide optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive. The M3S offers low switching losses and is housed in a TO247-4LD package for low common source inductance.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1
Ficha técnica
1 634Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Ficha técnica
282Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC