Drivers de Porta IGBT/SIC Avançados GD3162

NXP Semiconductors GD3162 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters. The NXP Semiconductors GD3162 drivers enable space savings and performance through advanced gate-drive functionality. The device includes integrated galvanic isolation, a programmable SPI interface, and advanced protection features like overtemperature, desaturation, and current sense protection. With integrated boost capability, the GD3162 can directly drive most SiC MOSFET and IGBT/SiC module gates.

Resultados: 8
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Série Estilo de montagem Caixa / Gabinete Número de canais Tensão de isolamento Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Embalagem
NXP Semiconductors Gate drivers isolados galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 2 524Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Gate drivers isolados galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 802Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Gate drivers isolados galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Gate drivers isolados galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Gate drivers isolados galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Gate drivers isolados galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 176
Mult.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Gate drivers isolados galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Gate drivers isolados galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 176
Mult.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray