QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier

Qorvo QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier operates from 2.7GHz to 3.5GHz and delivers 33dBm of saturated output power and 18dB of large-signal gain while achieving greater than 52% power-added efficiency. The QPA2935 is fabricated on the QGaN25 0.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports.

Resultados: 2
Selecionar Imagem Número de peça
 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Frequência operacional
Tensão de alimentação operacional
Corrente de Alimentação Operativa
Ganho
Tipo
Estilo de montagem
Tecnologia
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Série
Embalagem
Qorvo Amplificadores de RF 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM
Ficha técnica
72Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 25 V 29 mA 28.4 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2935 Bag
Qorvo Amplificadores de RF 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 16 semanas
Mín.: 250
Mult.: 250
Bobina: 250

2.7 GHz to 3.5 GHz 25 V 29 mA 28.4 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2935 Reel