Parece que você desabilitou JavaScript no seu navegador. Algumas funções nesta página não funcionarão, a menos que você acesse.

Voltar para os Resultados da Pesquisa

Identificou algum erro?

NTH4L028N170M1

Name: onsemi NTH4L028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L028N170M1
Price: 31.8 EUR
Availability: InStock

As imagens são apenas para referência
Veja as especificações do produto

Nº da Mouser:

863-NTH4L028N170M1

Nº do fabricante:

NTH4L028N170M1

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO2

Ficha técnica:

NTH4L028N170M1 Ficha técnica

Modelo ECAD:

Baixe o aplicativo gratuito Library Loader para converter este artigo para sua ferramenta ECAD. Saiba mais sobre o Modelo ECAD.

Mais informações

Saiba mais sobre onsemi NTH4L028N170M1

Em estoque: 568

Estoque:: 568 Pode ser enviado imediatamente

Ocorreu um erro inesperado. Tente novamente mais tarde.
Tempo de entrega da fábrica:: 18 semanas Tempo estimado de produção de fábrica para quantidades acima do indicado.

Digite a quantidade:

Mínimo: 1 Vários: 1

Preço unitário:

-,-- €

Ext. Preço:

-,-- €

Est. Tarifa:

Preços (EUR)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	31,80 €	31,80 €
	23,62 €	236,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montagem:	Through Hole
Caixa / Gabinete:	TO-247-4
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	1.7 kV
Id - Corrente de drenagem contínua:	81 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	40 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 15 V, + 25 V
Tensão de limite porta e fonte:	4.3 V
Qg - Carga na porta:	200 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	535 W
Modo de canal:	Enhancement
Nome comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuração:	Single
Tempo de queda:	13 ns
Transcondutância em avanço - Mín:	31 S
Embalagem:	Tube
Tipo de Produto:	SiC MOSFETS
Tempo de ascensão:	18 ns
Série:	NTH4L028N170M1
Quantidade do pacote de fábrica:	450
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tempo de retardo de desligamento típico:	121 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	47 ns

Produtos encontrados:

Para mostrar produtos similares, selecione pelo menos uma opção

Selecione pelo menos uma caixa de seleção acima para mostrar produtos similares nesta categoria.

Atributos selecionados: 0

Filtrar documento:

Ficha técnica

NTH4L028N170M1 Ficha técnica

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

MOSFET EliteSiC NTH4L028N170M1 de 1700 V

O MOSFET NTH4L028N170M1 1.700 V EliteSiC da onsemi oferece desempenho confiável e de alta eficiência para aplicações de infraestrutura de energia e acionamento industrial. O MOSFET EliteSic da onsemi apresenta tecnologia planar que funciona de forma confiável com atuadores de tensão negativa de gate e desliga picos no gate. Este dispositivo oferece um excelente desempenho quando acionado com um gate drive de 20 V, mas também funciona perfeitamente com um gate drive de 18 V.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.