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NDSH20120C

Name: onsemi NDSH20120C
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120C
Price: 7.77 EUR
Availability: InStock

As imagens são apenas para referência
Veja as especificações do produto

Nº da Mouser:

863-NDSH20120C

Nº do fabricante:

NDSH20120C

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

Ficha técnica:

NDSH20120C Ficha técnica

Modelo ECAD:

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	7,77 €	7,77 €
	5,36 €	53,60 €
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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montagem:	Through Hole
Caixa / Gabinete:	TO-247-2
Configuração:	Single
If - Corrente direta:	20 A
Vrrm - Tensão inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensão no sentido direto:	1.38 V
Ifsm - Corrente de surto no sentido direto:	119 A
Ir - Corrente inversa:	200 uA
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Série:	NDSH20120C
Embalagem:	Tube
Marca:	onsemi
Pd - Dissipação de potência:	214 W
Tipo de Produto:	SiC Schottky Diodes
Quantidade do pacote de fábrica:	450
Subcategoria:	Diodes & Rectifiers
Nome comercial:	EliteSiC
Vr - Tensão no sentido inverso:	1.2 kV

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Ficha técnica

NDSH20120C Ficha técnica

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

NDSH20120C Silicon Carbide (SiC) Diodes

onsemi NDSH20120C Silicon Carbide (SiC) Diodes provide superior switching performance and higher reliability than silicon. The onsemi NDSH20120C features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.