Driver GaN de Meia-ponte LMG1025/LMG1025-Q1

O Driver GaN de Meia Ponte LMG1025/LMG1025-Q1 da Texas Instruments  foi desenvolvido para acionar tanto o lado superior quanto os FETs de nitreto de gálio (GaN) de modo de aprimoramento do lado inferior, em uma configuração síncrona de buck (redutor), boost (incrementador) ou meia ponte. O dispositivo inclui um díodo bootstrap integrado de 100 V e entradas independentes para as saídas dos lados superior e inferior, proporcionando máxima flexibilidade de controle. A tensão de polarização no lado superior é gerada por meio de uma técnica bootstrap. Ela é internamente limitada a 5 V, o que impede que a tensão do gate exceda a tensão nominal máxima da fonte do gate dos transistores GaN em modo de aprimoramento. As entradas do LMG1205/LMG1025-Q1 são compatíveis com a lógica TTL e suportam tensões de entrada de até 14 V, independentemente da tensão  VDD. O LMG1205/LMG1205-Q1 possui saídas de gate divididas, permitindo ajustar a força de ativação e desativação de forma independente.