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GAN041-650WSBQ

Name: Nexperia GAN041-650WSBQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN041-650WSBQ
Price: 9.87 EUR
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

771-GAN041-650WSBQ

Nº do fabricante:

GAN041-650WSBQ

Fabricante.:

Nexperia

Descrição:

FETs GaN SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET

Ficha técnica:

GAN041-650WSBQ Ficha técnica (PDF)

Modelo ECAD:

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Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	9,87 €	9,87 €
	7,76 €	77,60 €
	7,28 €	364,00 €
	7,16 €	716,00 €
	6,08 €	1 216,00 €
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 30)
	7,76 €	232,80 €

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoria de produto:	FETs GaN
RoHS:
Estilo de montagem:	Through Hole
Caixa / Gabinete:	SOT-429-3
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	650 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	47.2 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	41 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte:	4.5 V
Qg - Carga na porta:	22 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	187 W
Modo de canal:	Enhancement
Marca:	Nexperia
Configuração:	Single
Tempo de queda:	10 ns
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Tipo de Produto:	GaN FETs
Tempo de ascensão:	10 ns
Quantidade do pacote de fábrica:	30
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Aliases de núm de peça:	934661752127
Peso unitário:	123 mg

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CNHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

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