1200V E4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V E4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in onboard automotive applications. The E4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The E4MS family provides improved Eon, ERR, and Eoff losses compared to the E3M family of devices, while maintaining a low RDS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of onboard topologies.

Resultados: 12
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Qualificação
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 800
Mult.: 800
Bobina: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 22 semanas
Mín.: 800
Mult.: 800
Bobina: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 800
Mult.: 800
Bobina: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 800
Mult.: 800
Bobina: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 274 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 800
Mult.: 800
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 186 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 800
Mult.: 800
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 22 semanas
Mín.: 800
Mult.: 800
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 800
Mult.: 800
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101