High-Speed IGBT4 Power Modules

Microchip Technology High-Speed IGBT4 Power Modules feature low voltage drop, low leakage current, and low switching losses. These modules operate at 1200V collector-emitter voltage (VCES) and provide very low stray inductance, Kelvin emitter/source for an easy drive, and extended temperature range. The benefits of IGBT4 modules are high-efficiency converters, offer outstanding performance at high-frequency operation, low profile, and low junction-to-heatsink thermal resistance. These modules are used in applications like high-reliability power systems, AC switches, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, and motor control.

Resultados: 7
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Produto Configuração Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor Tensão de saturação do coletor - emissor Corrente contínua do coletor a 25ºC Corrente de dispersão do gate - emissor Pd - Dissipação de potência Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL3 12Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL1 9Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL2 7Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL1 9Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL3 4Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL2 6Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
3Esperado 09/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C