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NTTFSSCH1D3N04XL

Name: onsemi NTTFSSCH1D3N04XL
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSCH1D3N04XL
Price: 2.21 EUR
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

863-NTTFSSCH1D3N04XL

Nº do fabricante:

NTTFSSCH1D3N04XL

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs T10S 40V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

Vida Útil:

Novo Produto:

Novo no fabricante.

Ficha técnica:

NTTFSSCH1D3N04XL Ficha técnica

Modelo ECAD:

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-,-- €

Ext. Preço:

-,-- €

Est. Tarifa:

Preços (EUR)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	2,21 €	2,21 €
	1,43 €	14,30 €
	1,02 €	102,00 €
	0,851 €	425,50 €
	0,789 €	789,00 €
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 5000)
	0,671 €	3 355,00 €

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs
RoHS:
Tecnologia:	Si
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	WDFN-9
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	40 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	207 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	1.3 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	20 V
Tensão de limite porta e fonte:	2.2 V
Qg - Carga na porta:	28 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	107 W
Modo de canal:	Enhancement
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuração:	Single
Tempo de queda:	4 ns
Transcondutância em avanço - Mín:	123 S
Tipo de Produto:	MOSFETs
Tempo de ascensão:	5 ns
Série:	NTTFSSCH1D3N04XL
Quantidade do pacote de fábrica:	5000
Subcategoria:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico:	43 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	18 ns

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Ficha técnica

NTTFSSCH1D3N04XL Ficha técnica

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET is engineered to handle high currents, which is crucial for DC-DC power conversion stages. This 40V, 207A, single N-channel power MOSFET offers lower on-resistance, increased higher power density, and superior thermal performance. The shield gate trench design provides an ultra-low gate charge and 1.3mΩ R_DS(on). The compact 3.3mm x 3.3mm source-down dual cool GEN2 package is lead free, halogen free, BFR free, and RoHS compliant. onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET is designed to provide an efficient solution for data center and cloud applications.