IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial
Embalagem
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
Ficha técnica
13 679Em estoque
9 100Esperado 23/04/2026
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
Ficha técnica
3 898Em estoque
19 000No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
Ficha técnica
1 118Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 63 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
Ficha técnica
2 000Esperado 05/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 55 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Tube