SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.

Resultados: 4
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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Wolfspeed MOSFETs de SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Ficha técnica
450Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Ficha técnica
695Esperado 12/10/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Ficha técnica
880Esperado 19/10/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 60 m, 650V, TO-247-4, Industrial
Ficha técnica
320Esperado 02/10/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement